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IPB03N03LA G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IPB03N03LA G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫歐 @ 55A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7027pF @ 15V
功率_最大:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:帶卷 (TR)

IPB03N03LA G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫歐 @ 55A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7027pF @ 15V
功率_最大:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:剪切帶 (CT)

IPB03N03LA G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫歐 @ 55A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7027pF @ 15V
功率_最大:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:Digi-Reel®

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